单向可控硅参数,单向可控硅管的主要参数
发布时间:2023-08-07 10:40

一、单向大发手机版网址是多少可控硅参数_额定通态平均电流IT(AV)

在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。

二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT(AV)

在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。

三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT

在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。

四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT

在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。

五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV

在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。

六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV

在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。

七、单向可控硅参数_维持电压IH

在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止。